Andrii Terletsky

0000-0002-1667-3467
h-index: 1
Кількість цитувань з усіх публікацій: 1
Журнали в яких є автор: 0
Співавторів: 3

Modified Pearson Model for High-Energy Multi-Charge Implantation and Impurity Activation for Sensor Microsystems
DOI: 10.1109/elnano50318.2020.9088870

Кількість посилань: 4

Кількість цитувань: 0

Автори: Volodymyr Gryga, Andrii Terletsky, Taras Benko, Volodymyr Lukovkin, Stepan Novosiadlyi, Volodymyr Mandzyuk
Посилання:
DOI: {{reference.doi}}

Опубліковано: {{reference.publicationDate}}

Журнал:

Цитування:
DOI: {{citation.doi}}

Опубліковано: {{citation.publicationDate}}

Журнал:

Methods of computer tools development for measuring and analysis of electrical properties of semiconductor films
DOI: 10.15587/1729-4061.2020.195253

Кількість посилань: 2

Кількість цитувань: 0

Опубліковано: 29-02-2020

Журнал: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies
Автори: Volodymyr Mandzyuk, Andrii Terletsky, Bogdan Dzundza, Mykhailo Deichakivskyi, Roman Dunets, Omelian Poplavskyi
Посилання:
DOI: {{reference.doi}}

Опубліковано: {{reference.publicationDate}}

Журнал:

Цитування:
DOI: {{citation.doi}}

Опубліковано: {{citation.publicationDate}}

Журнал:

Photoluminescence study of growth-related and processing-induced defects in indium phosphide
DOI: 10.1002/pssa.2211560230

Кількість посилань: 1

Кількість цитувань: 0

Опубліковано: 16-08-1996

Журнал: phys stat sol (a)
Автори: Andrii Terletsky, M. Zappia, D. Ajò, M. L. Favaro, I. M. Tiginyanu, H. L. Hartnagel
Посилання:
DOI: {{reference.doi}}

Опубліковано: {{reference.publicationDate}}

Журнал:

Цитування:
DOI: {{citation.doi}}

Опубліковано: {{citation.publicationDate}}

Журнал:

Improvement of InP crystalline perfection by He+-implantation and subsequent annealing
DOI: 10.1016/0038-1098(95)00452-1

Кількість посилань: 0

Кількість цитувань: 1

Опубліковано: 12-1995

Журнал: Solid State Communications
Автори: Andrii Terletsky, V.V. Ursaki, I.M. Tiginyanu
Посилання:
DOI: {{reference.doi}}

Опубліковано: {{reference.publicationDate}}

Журнал:

Цитування:
DOI: {{citation.doi}}

Опубліковано: {{citation.publicationDate}}

Журнал: